1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 汽车/机械/制造
  5. 加工工艺

CN112563380B Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 （深圳市昂德环球科技有限公司）.docxVIP

  • 3
  • 0
  • 约1.07万字
  • 约 16页
  • 2026-03-18 发布于山西
  • 举报

CN112563380B Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 （深圳市昂德环球科技有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN112563380B

    (45)授权公告日2025.06.20

    (21)申请号202011549420.7

    (22)申请日2020.12.24

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112563380A

    (43)申请公布日2021.03.26

    (73)专利权人深圳市昂德环球科技有限公司地址518000广东省深圳市南山区粤海街

    道高新区社区高新南九道45号西北工业大学三航科技大厦16层1611

    专利权人惠州市三航无人机技术研究院

    (72)发明人高芳亮杨金铭

    (74)专利代理机构深圳市精英专

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >