CN104051521A 一种基于有机介质的高性能AlGaNGaN HEMT开关器件结构及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104051521A

(43)申请公布日2014.09.17

(21)申请号201410312711.2

(22)申请日2014.07.02

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩代波董良杜锴郑雪峰张春福马晓华郝跃

(74)专利代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368

代理人郭官厚

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/20(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaNHEMT开关器件结构及制作方法

(57)摘要

CN104051521A源极漏极钝化层钝化层TTO情电格mOeeceoeAIGaN掺杂层AIGaN本征层55BBB三艳E三EEEGaN沟道层AIN隔离层GaN缓冲层衬底本发明公开了一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaNHEMT开关器件结构及其制作方