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硒化铋与硫化亚锡薄膜器件性能的对比与探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域，薄膜器件凭借其独特的优势，如高集成度、轻量化、可柔性化等，占据着举足轻重的地位，成为推动电子技术不断进步的关键力量。从日常使用的智能手机、平板电脑，到高端的航空航天设备、医疗检测仪器，薄膜器件广泛应用于各个领域，为实现设备的高性能、小型化和多功能化提供了可能。

在众多薄膜材料中，硒化铋（Bi?Se?）和硫化亚锡（SnS）薄膜器件近年来受到了科研人员的广泛关注。硒化铋作为一种典型的三维拓扑绝缘体，具有独特的物理性质。其体态呈现绝缘特性，而表面则存在着受时间反转对称性保护的无带隙表面态，电子在表面态上能够以