功率半导体应用手册（第 2 版）・模拟自测题.docxVIP

功率半导体应用手册（第2版）?模拟自测题

（适配考试：电气/电力电子/器件应用类笔试、面试）

一、单项选择题（10题）

IGBT属于哪种控制类型？A.电流控型B.压控型C.阻控型D.光控型答案：B

功率回路中，关断过电压主要由什么引起？A.导通压降B.栅极电阻C.杂散电感D.结温答案：C

IGBT栅极电阻Rg增大，会导致？A.开关更快，损耗更小B.di/dt减小，EMI改善C.更容易振荡D.短路能力增强答案：B

功率半导体热路中，Rth(jc)指的是？A.结到壳热阻B.壳到散热器热阻C.散热器到环境热阻D.结到环境热阻答案：A

SiC二极管相比传统快恢复二极管最大优势是？A.更便宜B.无反向恢复电荷C.耐压更高D.导通压降更低答案：B

IGBT短路保护的核心原则是？A.立即硬关断B.长时间承受短路C.快速检测+软关断D.提高栅压答案：C

功率器件并联主要为了？A.提高耐压B.增大电流容量C.降低开关频率D.简化驱动答案：B

功率循环寿命主要取决于？A.开关频率B.结温波动幅度C.正向电流D.驱动电压答案：B

以下哪种器件适合低压高频场景？A.IGBTB.晶闸管C.MOSFETD.GTO答案：C

三电平拓扑相比两电平主要优点是？A.电路更简单B.器件更少C.