CN104698039A 一种AlN陶瓷基热隔离结构四单元阵列气体传感器及其制作方法 （哈尔滨理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104698039A

(43)申请公布日2015.06.10

(21)申请号201510137044.3

(22)申请日2015.03.26

(71)申请人哈尔滨理工大学

地址150080黑龙江省哈尔滨市南岗区学府

路52号

(72)发明人赵文杰刘丛宁施云波于明岩周真

(74)专利代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所23109

代理人杨晓辉

(51)Int.CI.

GO1N27/00(2006.01)

权利要求书3页说明书5页附图3页

(54)发明名称

一种A1N陶瓷基热隔离结构四单元阵列气体传感器及其制作方法

(57)摘要

一种A1N陶瓷基热隔离结构四单元阵列气体传感器及其制作方法，涉及一种气体传感器及其制造方法。解决了目前的硅基微热板集成阵列气体传感器在热稳定性差及硅基微热板集成阵列气体传感的成膜工艺复杂、高温下硅基存在热失配的问题。本发明包括矩形氮化铝陶瓷基片和四个独立传感器单元，每个独立传感器单元包括两个加热电极、两个信号电极、四个等腰梯形热隔离孔、矩形加热器和信号探测器；制作该四单元阵列气体传感器的方法为先将氮化铝陶瓷基片用丙酮溶液和酒精溶液