CN104681646A 碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104681646A

(43)申请公布日2015.06.03

(21)申请号201510098637.3

(22)申请日2015.03.05

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人郭辉宋朝阳蒋树庆梁佳博张玉明

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L31/0224(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

HO1L31/08(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法

(57)摘要

CN104681646A本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法，主要解决现有技术中平面型光导开关在相同电极间距下耐压小的问题。该光导开关自下而上为半绝缘碳化硅衬底(1)、致密绝缘氧化层(2)和SiO?钝化层(3),在半绝缘碳化硅衬底(1)上部两端及其表面上层的致密绝缘氧化层(2)和SiO?钝化层(3)对应位置处开有