CN104659089B 基于侧向外延技术的垂直结构AlGaNGaN HEMT器件及其制作方法 （苏州能屋电子科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104659089B公告日2017.09.29

(21)申请号201510109684.3

(22)申请日2015.03.12

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104659089A

(43)申请公布日2015.05.27

HO1L21/335(2006.01)审查员黄宝莹

(73)专利权人苏州能屋电子科技有限公司

地址215000江苏省苏州市工业园区星湖

街218号生物纳米园A4楼110B室

(72)发明人张宝顺孙世闯付凯蔡勇于国浩张志利宋亮

(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256

代理人王锋

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图2页

(54)发明名称

基于侧向外延技术的垂直结构AlGaN/GaNHEMT器件及其制作方法

(57)摘要

CN104659089B本发明公开了一种基于侧向外延技术的垂