CN104681413A 低应力多晶硅薄膜的制作方法 （苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104681413A

(43)申请公布日2015.06.03

(21)申请号201510086706.9

(22)申请日2015.02.25

(71)申请人苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司

地址215123江苏省苏州市工业园区金鸡湖

大道99号苏州纳米城西北区19幢

(72)发明人李琳松

(74)专利代理机构苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257

代理人李阳

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

21/02(2006.01)

21/66(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

低应力多晶硅薄膜的制作方法

确定需要制备的低应力多晶

确定需要制备的低应力多晶硅薄膜的应力值

根据所需应力值计算得出多晶硅成膜温度和退火温度

在多品硅成膜温度的条件下，淀积多品碰

在退火温度的条件下，进行退火处理

CN104681413A本发明涉及一种半导体薄膜材料的制作方法，尤其是一种低应力多晶硅薄膜的制作方法，属于半导体领域，该低应力多晶硅薄膜的制作方法通过先确定需要制备的低应力多晶硅薄膜的应力值，然后计算得出成膜温度和退火温度，最后通过分别在成膜温度和退