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半导体器件作业-1.docxVIP

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  • 2026-03-24 发布于河北
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半导体器件作业-1.docx

    1、平衡pn结：chapter3pdf3、4页

    2、chapter3pdf10页

    3、chapter3pdf11页

    4、书本71页第一二段

    5、chapter3pdf18页

    6、pn结扩散电容是来自于非平衡少数载流子（简称非平衡少子）在pn结两边的中性区内的电荷存储所造成的电容效应

    PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应.

    7、chapter3pdf25页

    8、chapter3pdf30页

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