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势垒电容：

当外加电压VA变化时，pn结的空间电荷宽度跟着发生变化，因而势垒区的电荷量也就随外加电压变化而变化。这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电效应。因为发生在势垒区，故称势垒电容，用CT表示。

C

扩散电容：

PN结扩散电容来源于扩散区积累的过剩载流子电荷随外加电压的变化。过剩载流子随外加电压变化的同时，空间电荷区两侧的扩散区电荷也有变化。扩散区是中性的，积累过剩载流子的同时，在同一区也必然积累等量的过剩多子。

非均匀掺杂电场：

杂质在空间的非均匀分布在半导体中产生了电场，这种电场称之为自建电场。

在线性缓变PN结的空间电荷区中，电场强度是距离的二次函数关系，而不再是均匀参杂PN结空间电荷区中电场强度随空间位置的线性变化关系

栅跨导：

反映了栅对漏源沟道电流的调控情况

转移特性曲线斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。gm也称为跨导

跨导的定义式如下:

gm=?ID/?VGS?VDS=const

5)准费米能级：

当半导体的平衡被破坏，经常出现平衡又不平衡的局面，即分别就导带和价带电子来说，它们各自基本上处于平衡状态，而导带和价带之间又是不平衡的，表现在它们各自的费米能级互不重合。在这种准平衡情况下，称各个局部的费米能级为“准费米能级”。

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6)短沟道效应：

器件的沟道长度小到可以与源结和漏结的耗尽层宽度相比拟时，源结和漏结的耗尽区