半导体器件物理复习（2016）.pptVIP

半导体器件物理?Dr.B.Lipn结1、PN结的杂质分布、空间电荷区，电场分布2、平衡载流子和非平衡载流子3、Fermi能级，准Fermi能级，平衡PN结能带图，非平衡PN结能带图4、pn结的接触电势差5、非平衡PN结载流子的注入和抽取6、过剩载流子的产生与复合7、理想二极管的电流~电压关系，并讨论pn结的单向导电性和温度特性。8、PN结大注入效应，大注入和小注入时的电流电压特性的比较。（扩散系数增大一倍）9、pn结自建电场、缓变基区自建电场（非均匀掺杂电场）、大注入自建电场的异同点。10、势垒电容与扩散电容的产生机制11、三种pn结击穿机构12、雪崩击穿的条件？讨论影响雪崩击穿电压的条件。13、PN结的交流等效电路？14、PN结的开关特性，贮存时间的影响因素。15、肖特基势垒二极管与PN结二极管的异同。双极晶体管1、晶体管基本结构(三个区域的掺杂浓度的数值大小)2、晶体管处在放大区时的能带图、电流分布图、基区少子浓度分布图（四种偏置）。3、晶体管具有放大能力的基本条件。4、发射效率γ和基区输运因子?T的定义。提高晶体管电流放大系数的主要措施。5、晶体管共基极和共射极放大系数之间的关系6、晶体管的Ebers-Moll模型及其等效电路和互易关系。7、晶体管共基极和共射极输入、输出特性8、大电流效