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半导体器件物理期末复习

名词解释

势垒电容：由于耗尽层内的空间电荷随着偏压的变化所引起的电容称为势垒电容

扩散电容：在扩散区中积累的电荷随外加电压的改变而改变，因而PN结可以等效为一个电容，称为扩散电容

非均匀参杂电场：在线性缓变PN结的空间电荷区中，电场强度是距离的二次函数关系，而不再是均匀参杂PN结空间电荷区中电场强度随空间位置的线性变化关系

栅跨导：反映外加栅极电压的变化量对控制源—漏电流变化量的能力，定义为gm=****即源漏电流该变量与其对应栅压该变量之比

准费米能级：在非平衡态时，用EFn，EFp来描述半导体中电子浓度和空穴浓度，EFn和EFp称为电子和空穴的准费米能级

短沟道效应：沟道长度减小到一定程度后，阈值电压随沟道变短而减小的效应称为短沟道效应

热载流子效应：当载流子从外界获得很大的能量时，即可成为热载流子，热载流子产生的一些影响称为热载流子效应

亚阈值区：当栅极电压低于阈值电压，半导体表面仅只是弱反型，称此时MOS管处在亚阈值区

雪崩击穿：电子或空穴经过空间电荷区时，从电场获得动能，带着高能的电子或空穴与晶格碰撞，产生出电子—空穴对，并与产生的载流子继续与晶格碰撞，在ＰＮ结内产生一股很大的反馈电流，这个过程称为雪崩击穿

大注入电场：注入到半导体中的非平衡少数载流子浓度接近或超过原来平衡多数载流子浓度时，称为大注入，大注入会在半导体内产生内建电场，称为大注入电场