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ZnTe薄膜与GaN基异质结构：制备工艺与光学特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，ZnTe薄膜和GaN基异质结构凭借其独特的物理性质和卓越的性能，占据着极为重要的地位，成为了材料科学与半导体器件研究领域的焦点。

ZnTe作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具备诸多优异特性。其具有直接带隙结构，室温下禁带宽度约为2.26eV，这一特性使得它在光电器件应用中表现出独特的优势。在发光器件方面，ZnTe薄膜可用于制备蓝光和绿光发光二极管（LED），为照明和显示领域提供了新的选择。与传统的照明和显示材料相比，基于ZnTe的LED具有发