CN119501800B 针对晶圆薄膜抛光过程的在线原位厚度测量方法及设备 （北京特思迪半导体设备有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119501800B

(45)授权公告日2025.04.25

(21)申请号202510099431.6CN117091520A,2023.11.21

(22)申请日2025.01.22审查员刘思宇

(65)同一申请的已公布的文献号

申请公布号CN119501800A

(43)申请公布日2025.02.25

(73)专利权人北京特思迪半导体设备有限公司

地址101300北京市顺义区杜杨北街3号院

6号楼（顺创）

(72)发明人蒋继乐孟炜涛周惠言孙昕宇

(51)Int.Cl.

B24B37/013(2012.01)