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- 2026-03-26 发布于广东
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AP4N90FIPIT
900VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP4N90F/P/TissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=900V
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