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- 2026-03-26 发布于广东
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AP7P15Y
-150VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP7P15Yusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=-150VI-7A
DSD
RDS(ON)780mΩ@VGS=10V(Type：620mΩ)
Applicatio
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