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- 2026-03-26 发布于广东
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AP8P10S
-100VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP8P10Susesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasa
BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=-100VI-8A
DSD
RDS(ON)-110mΩ@VGS
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