永源微代理商-APM-AP8N65FPT-B_8.0A_650V_TO-220F-3L_TO-220-3L_TO-263-3L深圳市恒锐丰科技.pdfVIP

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永源微代理商-APM-AP8N65FPT-B_8.0A_650V_TO-220F-3L_TO-220-3L_TO-263-3L深圳市恒锐丰科技.pdf

AP8N65FIPIT-B

650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP8N65F/P/T-BissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFETS,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

whichreducetheconductionloss,improveswitching

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

miniaturizationandhigherefficiency.

GeneralFeatures

V=650VI8A

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