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- 2026-03-26 发布于广东
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AP7N65DIY-B
650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP7N65D/YissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=650VI=7A
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