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- 2026-03-26 发布于广东
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AP10N65FIPIT-B
650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP10N65F/P/T-BissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=650VI10A
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