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永源微代理商-APM-AP20G04GD_20A_40V_TO-252-4L深圳市恒锐丰科技.pdfVIP

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  • 2026-03-26 发布于广东
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永源微代理商-APM-AP20G04GD_20A_40V_TO-252-4L深圳市恒锐丰科技.pdf

    AP20G04GD

    40VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET

    Description

    TheAP20G04GDusesadvancedtrenchtechnology

    toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

    operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

    deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

    orinotherSwitchingapplication.

    GeneralFeatures

    V=40VI20A

    DSD

    RDS(ON)20mΩ@VGS=10V（Type：15mΩ）

    V=-40VI

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