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- 2026-03-26 发布于广东
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AP80P10D
-100VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP80P10Dusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=-100VI-80A
DSD
RDS(ON)25mΩ@VGS=10V(Type：20mΩ)
Applicati
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