薄膜黄光蚀刻制程简介.pptVIP

*;薄膜技術簡介*;SputterITO技術介紹;成膜製程ITO靶材品質異常處;玻璃基板(0.55mm);透明導電膜可視透過率＞9;利用電漿所產生的離子，藉著離子;真空室基板靶材電漿Ar+e-氣;Carrier真空腔體基板靶材;ITO膜性質的決定因素:1.基;濺鍍的種類1500A約140;200℃140℃高溫成膜低溫成;熱剖面圖*;1500A導電率透過率;无标题;无标题;1.確認濺鍍是否運轉符合規格書;无标题;ITO=IndiumT;原料(In2O3粉末+;MMF製程法(Mit;ITO粉末(乾式)加熱加熱垂;ITO粉末(乾式)垂直加壓不;ITO粉末+DIW(Sl;製程法密度(g/cm3)相對密;減少nodule發生(nod;特性值(膜厚、阻抗值、透過率);一般膜厚偏高或低則調低或高每一;濺鍍處理壓力異常:?;氣灑裝置異常(螺絲未裝或未鎖緊;黃光技術簡介*;黃光工程基本概念黃光製程流程簡;NegativeTypeP;PositiveTypeP;LDCleanerPlasma;*;BrushArea毛刷洗淨J;DETERGENTC.J.A;D.I.WATERTANK;基板可藉由刷洗的程序除去較大粒;噴射灑水可除去中等粒徑的異物(;超高音波洗淨可除去細微粒徑(?;利用小氣泡沾附於Particl;空氣