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基于PICMCC模拟的H2-N2混合气体容性射频放电特性解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代工业和科研领域，等离子体技术凭借其独特的物理化学性质，发挥着至关重要的作用。容性射频放电作为产生等离子体的重要方式之一，在半导体制造、材料表面处理等诸多关键领域得到了极为广泛的应用。其中，H2-N2混合气体容性射频放电特性的研究，具有重要的科学意义和实际应用价值。

在半导体制造领域，等离子体刻蚀和薄膜沉积是极为关键的工艺环节。以先进的芯片制造为例，随着芯片集成度的不断提高，对刻蚀精度和薄膜质量的要求也愈发严苛。H2-N2混合气体等离子体能够提供特定的活性粒子，在刻蚀过程中实现对不同材料的精