数据中心用高压GaN功率器件研发及产业化项目可行性研究报告.docx

数据中心用高压GaN功率器件研发及产业化项目可行性研究报告

第一章总论

项目概要

项目名称

数据中心用高压GaN功率器件研发及产业化项目

建设单位

中科氮化镓技术（苏州）有限公司于2023年6月在江苏省苏州市工业园区市场监督管理局注册成立，属有限责任公司，注册资本金5000万元人民币。核心经营范围包括第三代半导体器件研发、生产及销售；电力电子元器件制造；集成电路设计；半导体技术推广服务等（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。

建设性质

新建

建设地点

江苏省苏州工业园区半导体产业园内，该园区是国内半导体产业集聚度高、配套设施完善的核心区域，紧邻长三角集成电路产业带，交通