半导体厂务项目工程管理课件：毒性废气处理系统.pptx

半导体厂务项目工程管理

毒性废气处理系统

含毒性废气处理系统

在半导体制造过程中，毒性废气的来源主要包括刻蚀工艺、掺杂工艺和化学气相淀积等关键工序。

刻蚀：为了去除硅片上不需要的材料，常使用四氟化碳（CF4）、六氟化硫（SF6）、六氟乙烷（C2F6）、三氟化氮（NF3）以及氯基（Cl2）和溴基（Br2、HBr）等气体。具有强烈的毒性。

掺杂：可能会使用砷烷（AsH3）、磷烷（PH3）、三氟化磷（PF3）、三氟化砷（AsF3）、三氟化硼（BF3）以及乙硼烷（B2H6）等有毒气体。一旦处理不当，可能导致火灾、爆炸或中毒事故。

化学气相淀积（CVD）：可能会产生包括氯化氢、氢氟酸、甲硅烷、磷化氢、