CN119400760A 衬底结构、半导体结构及衬底结构的制备方法 (无锡晶湛半导体有限公司).docxVIP

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  • 2026-04-17 发布于山西
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CN119400760A 衬底结构、半导体结构及衬底结构的制备方法 (无锡晶湛半导体有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119400760A

(43)申请公布日2025.02.07

(21)申请号202310926371.1

(22)申请日2023.07.26

(71)申请人无锡晶湛半导体有限公司

地址214000江苏省无锡市锡山区锡山经

济技术开发区芙蓉中路108号

(72)发明人程凯

(74)专利代理机构北京博思佳知识产权代理有限公司11415

专利代理师于欣

(51)Int.Cl.

H01L23/367(2006.01)

H10D30/47(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

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