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CN119400692A 屏蔽栅极沟槽式mosfet及其源极多晶硅制作方法 （新唐科技股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-17 发布于山西
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CN119400692A 屏蔽栅极沟槽式mosfet及其源极多晶硅制作方法 （新唐科技股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119400692A

    (43)申请公布日2025.02.07

    (21)申请号202410135158.3

    (22)申请日2024.01.31

    (30)优先权数据

    1121277942023.07.25TW

    (71)申请人新唐科技股份有限公司

    地址中国台湾新竹科学工业园区

    (72)发明人王庆森陈旷举刘汉英

    (74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限

    公司11127

    专利代理师崔博

    (51)Int.Cl.

    H01L21/28(2025.01)

    H10D64/01(2025.01

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