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CN119400698A 在沟槽侧壁上选择性地形成氮化硅膜的方法 （Asm Ip私人控股有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-17 发布于山西
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CN119400698A 在沟槽侧壁上选择性地形成氮化硅膜的方法 （Asm Ip私人控股有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119400698A

    (43)申请公布日2025.02.07

    (21)申请号202410974177.5

    (22)申请日2024.07.19

    (30)优先权数据

    63/528,4552023.07.24US

    (71)申请人ASMIP私人控股有限公司地址荷兰阿尔梅勒

    (72)发明人坂智美A·努尔希达亚蒂L·C·黄

    (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

    专利代理师王冉

    (51)Int.Cl.

    H01L21/318(2006.01)

    H01L21/762(2006.01

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