CN119403162A 一种异构沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docxVIP

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  • 2026-04-17 发布于山西
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CN119403162A 一种异构沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119403162A

(43)申请公布日2025.02.07

(21)申请号202411975409.5

(22)申请日2024.12.31

(71)申请人泰科天润半导体科技(北京)有限公司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人周海施广彦胡臻何佳

(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所(普通合伙)35212

专利代理师刘晓明

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H

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