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硅基红外发光材料：从基础到前沿的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，硅基材料凭借其丰富的储量、良好的化学稳定性以及与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的高度兼容性，在微电子领域占据着核心地位，从日常的电子设备到复杂的数据中心服务器，都离不开硅基集成电路的支持。然而，随着科技的飞速发展，各领域对光电器件在近红外波段的性能需求日益增长，传统硅基材料的局限性逐渐凸显。

硅的禁带宽度约为1.12eV，这一特性致使其对近红外光的吸收能力较弱，光电响应截止波长大约在1100nm左右，难以满足光通信、生物医学检测、安防监控等领域对近红外波段光信号的探测、发射和调制