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2026年电子科学与技术基础知识考试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共40分）

1.关于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）的特性，下列描述错误的是()

A.禁带宽度大于硅（Si），可在更高温度环境下工作

B.击穿电场强度高，适合制备高压、大电流功率器件

C.电子迁移率低于硅材料，不适合高频射频器件应用

D.热导率较高，散热性能优于砷化镓（GaAs）

答案：C

解析：GaN的电子迁移率显著高于硅材料，同时其禁带宽度大、击穿电场强度高的特性，使其非常适合制备高频射频器件（如5G通信基站的功率放大器）以及高压功率器件。选项C的描述与实际特性相悖，因此错误。

2.MOSFET（金属-