2026年电子科学与技术科目试题及答案.docx

2026年(电子科学与技术)科目试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.本征半导体的本征载流子浓度ni随温度变化的规律是()

A.随温度升高线性增大

B.随温度升高指数增大

C.随温度升高线性减小

D.随温度升高指数减小

答案：B

解析：本征载流子浓度ni的表达式为ni=(NcNv)^(1/2)exp(-Eg/(2kT))，其中Eg为禁带宽度，k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度。从公式可以看出，ni随温度升高呈指数形式增大，温度是影响本征载流子浓度的关键因素之一。

2.MOS场效应管（MOSFET）的阈值电压主要由以下哪个因素决定()

A.漏极电压

B.源极电