2026年电子科学与技术课程考试试题及答案.docx

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2026年电子科学与技术课程考试试题及答案

一、单项选择题(每小题2分,共30分)

1.本征硅在室温(300K)下的本征载流子浓度约为()

A.1.5×101?cm?3

B.1.5×1012cm?3

C.1.5×101?cm?3

D.1.5×101?cm?3

答案:A

解析:本征载流子浓度由半导体的禁带宽度和温度决定,室温下(300K)硅的本征载流子浓度约为1.5×101?cm?3。温度升高时,本征激发增强,载流子浓度呈指数级增长;禁带宽度越小的半导体,本征载流子浓度越高。

2.下列关于PN结反向击穿的描述中,属于可逆击穿类型的是()

A.仅齐纳击穿

B.仅热击穿

C.齐

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