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半导体光刻工艺显影技师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.常用的显影液主要成分为______

2.正性光刻胶显影时，去除的是______的光刻胶

3.显影工艺的核心目的是______

4.显影液的常用浓度约为______

5.显影温度通常控制在______℃（范围）

6.显影后清洗残留显影液的试剂是______

7.正胶过显影会导致图案尺寸______（变大/变小）

8.显影前的关键工艺步骤是______

9.负性光刻胶显影时，去除的是______的光刻胶

10.旋喷显影相比浸泡显影的优势是______

一、填空题答案

1.TMAH水溶液

2.曝光

3.将掩模图案转移到光刻胶层

4.0.26%

5.23±1

6.去离子水

7.变大

8.曝光后烘（PEB）

9.未曝光

10.均匀性好、残留少

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.以下属于碱性显影液的是？

A.TMAHB.硫酸C.盐酸D.氢氟酸

2.正胶显影去除的是？

A.未曝光B.曝光C.全部D.部分

3.显影温度过高易导致？

A.欠显影B.过显影C.图案消失D.无影响

4.显影液浓度过低会？

A.欠显影B.过显影C.图案模糊D.无影响

5.显影后清洗主要去除？

A.残留光刻胶B.残留显影液C.灰尘D.掩模残留

6.以下属于显影缺陷的是？

A.颗粒污染B.欠显影C.曝光不足D.涂胶不均

7.PEB工艺的作用是？