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半导体刻蚀工艺终点检测技师考试试卷及答案

一、填空题（10题，每题1分）

1.刻蚀终点检测的核心是识别______的关键变化。

2.干法刻蚀最常用的光学终点检测方法是______。

3.等离子体刻蚀质谱检测（RGA）主要监测刻蚀产生的______。

4.湿法刻蚀SiO?时，常用______变化作为终点信号。

5.刻蚀终点检测系统的组成包括传感器、______和报警模块。

6.RIE刻蚀SiO?时，终点检测常用的离子是______。

7.激光干涉终点检测基于薄膜______的干涉现象。

8.原位终点检测的特点是______（接触/非接触）硅片。

9.湿法刻蚀金属铝的终点检测常用______突变。

10.刻蚀终点检测的主要目的之一是减少______。

二、单项选择题（10题，每题2分）

1.以下不属于光学终点检测方法的是？

A.激光干涉B.反射光谱C.质谱检测D.椭圆偏振

2.湿法刻蚀SiO?的终点现象通常是？

A.溶液变红B.硅片表面变灰C.气泡持续产生D.溶液变浑浊

3.等离子体刻蚀中，终点信号突变的直接原因是？

A.气体流量变化B.刻蚀层消失C.电极温度升高D.真空度下降

4.以下哪种是原位终点检测方法？

A.离线XPSB.激光干涉C.滴定法D.称重法

5.刻蚀终点检测的主要目的不包括？

A.减少过刻蚀B.提高良率C.增加刻蚀时间D.保证一致性

6.RIE刻蚀Al时，质谱常用监测