CN120018523A 改善沟槽mim电容界面漏电弱点的结构及其制造方法 (华虹半导体(无锡)有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-23 发布于重庆
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CN120018523A 改善沟槽mim电容界面漏电弱点的结构及其制造方法 (华虹半导体(无锡)有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120018523A

(43)申请公布日2025.05.16

(21)申请号202510213530.2

(22)申请日2025.02.25

(71)申请人华虹半导体(无锡)有限公司

地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路

30号

(72)发明人高国磊周爽吕穿江张磊

王晓日

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限

公司31211

专利代理师刘昌荣

(51)Int.Cl.

H10D1/68(2025.01)

权利要求书2页说明书5页附图4页

(54)发明名称

改善沟槽

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