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太阳能发电技术与安全手册

第1章光伏系统基础理论与组件原理

1.1光伏效应与光电转换机制

光伏效应的核心在于半导体PN结在光照下产生电子-空穴对，当内建电场将这些载流子分离时，会在PN结两侧形成电动势，从而驱动电流流动，这一过程称为光生伏打效应。在硅基太阳能电池中，光子能量必须大于或等于禁带宽度（约1.12eV）才能被吸收并激发电子跃迁，若能量过低则被透明，过高则产生热损耗。

光生电流的方向与光照方向一致，遵循欧姆定律的变体，其数值与入射光强成正比，遵循$I=I_{sc}\cdotG/G_{sc}$的关系。开路电压（$V_{oc}$）取决于PN结的内建电势，其值随温度升高而降低，遵循$V_{oc}\approxV_{g0}-\betaT$的经验公式。短路电流（$I_{sc}$）主要受限于串联电阻和并联电阻，低质量组件的$I_{sc}$衰减往往比$V_{oc}$更显著。

串联电阻会导致电压降增加，并联电阻则引起电流分流，两者共同决定了组件在最大功率点（MPP）附近的效率边界。

1.2晶体硅、薄膜及钙钛矿技术路线比较

晶体硅技术是目前市场占有率最高的路线，主要分为单晶硅和多晶硅，其转换效率通常稳定在20%以上，生产成本已大幅下降。薄膜技术（如碲化镉CdTe或铜铟镓硒CIGS）具有柔性基底和较宽