CN120033066A 一种氧化镓的外延生长方法 (杭州镓仁半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-23 发布于重庆
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CN120033066A 一种氧化镓的外延生长方法 (杭州镓仁半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120033066A

(43)申请公布日2025.05.23

(21)申请号202510206313.0

(22)申请日2025.02.25

(71)申请人杭州镓仁半导体有限公司

地址311231浙江省杭州市萧山区经济技

术开发区萧山机器人小镇389号1幢南

侧101室

(72)发明人夏宁徐大成李成

(74)专利代理机构北京高沃律师事务所11569

专利代理师吴若楠

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明

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