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电子研发与应用手册

第1章电子研发基础理论与规范

1.1半导体器件物理与工作原理

半导体器件的核心在于能带理论，即价带、导带及禁带之间的能量分布。在硅（Si）中，价带顶（VBM）与导带底（CBM）之间的禁带宽度约为1.12eV，这一数值直接决定了材料的导电特性。研发人员需理解，当温度升高时，热激发产生的电子-空穴对数量呈指数级增长，其遵循$n=n_ie^{-E_g/2kT}$的公式，其中$n_i$为本征载流子浓度，$E_g$为禁带宽度，$k$为玻尔兹曼常数，$T$为绝对温度。对于N型硅器件，杂质能级位于价带顶下方，主导导电行为。在PN结的形成与偏置状