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LED光提取效率的提高方式概述

目录

TOC\o1-3\h\u14999LED光提取效率的提高方式概述 1

234951.1.1芯片倒装 1

277251.1.2图形衬底 1

152761.1.3微纳结构 2

294881.1.4表面等离激元 3

国内外学者为了解决上述问题提出了如芯片倒装、图形衬底、微纳结构、表面等离激元等技术来提高GaN基LED光提取效率REF_Re\r\h[23]。

芯片倒装

（a）（b）

图2.6GaN基LED结构图（a）正装结构（b）倒装结构

如图所示，采用倒装结构，既可以避免电极对光子的吸收以及电极引线的阻挡，又能避免图形化结构对有源层的损伤。Liu利用Monte-Carlo光线追踪的方法对正、倒装GaN基LED的光提取效率进行模拟。结果表明，倒装结构可以使LEE提高16%-39%REF_Re\r\h[24]。Wierer发现大功率AlGaInN倒装芯片发光二极管（FCLED）相比传统的AlGaInN发光二极管具有更大的发射面积和更高的功率转化率，FCLED可提高1.6倍的光提取效率REF_Re\r\h[25]。

图形衬底

ChiuREF_