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高效率线增益低噪声硅VDMOS与LDMOS晶体管射频器件参数及应用.pdfVIP

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  • 2026-04-28 发布于北京
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高效率线增益低噪声硅VDMOS与LDMOS晶体管射频器件参数及应用.pdf

    聚酰胺射频器件

    SM703

    一般描述

    专为宽带射频应用设计的硅硅栅增强型射频功率晶体管VDMOS

    VDMOS和LDMOS晶体管。适用

    于无线电、蜂窝和寻呼放大基

    站、广播FM/AM、MRI、激光驱Watts80.0封

    单端AM

    动器等。装样式

    Polyfet工艺的特点是低反馈电容高效率，线增益，低噪声

    和输出电容，这使得该工艺能够产生高

    F值的晶体管，具有高输入阻抗和高效率。

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