2025年石墨烯材料制备与应用手册.docx

2025年石墨烯材料制备与应用手册

第1章石墨烯材料制备技术综述

1.1化学气相沉积法

CVD法利用高温炉管将含碳气源（如甲烷或乙烯）与载气混合，在受控气氛下分解并沉积在衬底表面形成石墨烯层，其核心在于精确控制反应温度与压力以优化碳原子排列密度。采用铜箔作为衬底材料，在900°C左右的高温环境下进行反应，通过调节反应气比例，可制备出厚度控制在0.3–0.5nm的单原子层石墨烯薄膜。

在反应过程中，需持续通入氩气作为保护气体，防止高温下碳与铜衬底发生氧化反应，从而保证石墨烯的高纯度和优异导电性能。通过优化反应腔体内的气体流速与流量比，可以有效控制石墨烯的结晶度，使碳原