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CN119720689A 一种功率mosfet器件的热阻仿真模型构建方法 （四川民承电子有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-04-27 发布于重庆
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CN119720689A 一种功率mosfet器件的热阻仿真模型构建方法 （四川民承电子有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119720689A

    (43)申请公布日2025.03.28

    (21)申请号202510213423.XG06T17/00(2006.01)

    G06F119/08(2020.01)

    (22)申请日2025.02.26

    G06F113/18(2020.01)

    (71)申请人四川民承电子有限公司

    地址610000四川省成都市双流区西南航

    空港经济开发区黄甲街道双兴大道1

    号

    (72)发明人任万春汪贵芳陈丹蔡少峰

    李春杨红伟许

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