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半导体光刻工艺工程师校招笔试真题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确选项，请将正确选项字母填入括号内）

1.在光刻工艺中，阿贝极限分辨率公式R=λ/(2NA)主要依赖于以下哪个物理量？()

A.光刻胶的感光速度

B.掩模版的透射率

C.光的波长和数值孔径

D.工作台的稳定性

2.以下哪种光刻技术属于使用可见光波长的光刻方法？()

A.DUVImmersionLithography

B.EUVLithography

C.I-lineLithography

D.Noneoftheabove

3.在光刻胶涂布过程中，旋涂（SpinCoating）主要利用什么原理使光刻胶均匀附着在硅片表面？()

A.毛细作用

B.离心力

C.静电吸附

D.热传导

4.掩模版上的透光区域和不透光区域分别对应着硅片上哪一层材料的处理状态？()

A.透光区域曝光，不透光区域未曝光

B.透光区域未曝光，不透光区域曝光

C.透光区域和都不透光区域都曝光

D.透光区域和都不透光区域都未曝光

5.下面哪种化学品通常用于正型光刻胶的显影