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半导体化学机械抛光工程师笔试试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确答案，请将正确选项字母填入括号内。每题2分，共30分）

1.化学机械抛光（CMP）过程中，研磨颗粒主要承担的作用是？

A.提供化学作用去除材料

B.提供机械力实现材料去除

C.控制抛光液的pH值

D.增强抛光液的粘度

2.根据Hugonin模型，CMP材料去除率与抛光压强的关系是？

A.线性关系

B.抛物线关系

C.指数关系

D.对数关系

3.抛光垫的“开孔率”是指？

A.抛光垫材料的密度

B.抛光垫表面微孔的体积分数

C.抛光垫材料的硬度

D.抛光垫的厚度

4.在CMP工艺中，下列哪种物质通常作为研磨液的pH缓冲剂？

A.硅酸钠

B.氢氧化铵

C.磷酸

D.三乙醇胺

5.导致CMP平坦度不良，“Tilt”（倾斜）缺陷的主要原因是？

A.衬底与抛光垫之间摩擦不均

B.抛光液供给不均匀

C.系统压强分布不均

D.以上都是

6.以下哪种测量技术最常用于检测CMP后晶圆的表面形貌和粗糙度？

A.光学干涉测量仪