摘要
石墨烯具有优异的机械性能、热导率、透光率以及高载流子迁移率,这些特
性使其在材料、能源、微电子等领域都可以发挥重要作用。目前在石墨烯的众多
制备方法中,化学气相沉积法(CVD)被认为是最有希望实现石墨烯的大规模制
备的方法,但是在金属衬底上制备的石墨烯在转移过程中容易引入杂质,对石墨
烯质量产生影响,所以人们将研究的重点转向探究在绝缘衬底上的石墨烯的制备。
本文研究了利用CVD法在绝缘六方氮化硼(h-BN)衬底表面的石墨烯制备工艺,
通过氧等离子体处理在h-BN表面可控引入点缺陷,辅助
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