CN119767736A 一种耗尽型GaN器件及其制备方法 .pdfVIP

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  • 2026-05-03 发布于重庆
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CN119767736A 一种耗尽型GaN器件及其制备方法 .pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119767736A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202510261179.4H10D84/40(2025.01)

(22)申请日2025.03.

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