原创力文档- 0
- 0
- 约1.7万字
- 约 15页
- 2026-05-04 发布于重庆
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119789150A
(43)申请公布日2025.04.08
(21)申请号202510264933.XH04L67/1008(2022.01)
H04L67/1021(2022.01)
(22)申请日2025.03.07
(71)申请人烟台大学
地址264005山东省烟台市莱山区清泉路
30号
(72)发明人吴世娥慕涵超贺鹏飞胡志蕊
(74)专利代理机构济南众德知识产权代理事务
所(普通合伙)37455
专利代理师刘丽
(51)Int.Cl.
H0
您可能关注的文档
- （正式版）DB35∕T 2044-2021 《虚拟现实应用软件性能测试要求》.pdf
- （正式版）DB35∕T 2046-2021 《公立医疗机构互联网医院建设规范》.pdf
- （正式版）DB35∕T 2047-2021 《茶叶体验店服务规范》.pdf
- （正式版）DB35∕T 2048-2021 《聚氯乙烯集成墙板室内安装服务规范》.pdf
- （正式版）DB35∕T 2050-2022 《福建白兔 品种》.pdf
- （正式版）DB35∕T 2055-2022 《政务服务 公共资源交易电子保函数据规范》.pdf
- （正式版）DB35∕T 2056-2022 《城市轨道交通综合监控系统网络安全实施要求》.pdf
- （正式版）DB35∕T 2057-2022 《茶叶赛事 组织通则》.pdf
- （正式版）DB35∕T 2058-2022 《社区矫正社会工作服务规范》.pdf
- （正式版）DB35∕T 2060-2022 《居家社区养老服务第三方评估规范》.pdf
- CN119789206A 一种基于极化码的无线快速定位方法 .pdf
- CN119789229A 同步方法、装置、网络设备、终端、存储介质及程序产品 .pdf
- CN119789263A 一种基于ic控制的多彩led光源自适应的调光方法 .pdf
- CN119789278A 智慧路灯的能效管理方法及系统 .pdf
- CN119789457A 一种高耐压场板终端平面栅碳化硅vdmos及制备方法 .pdf
- CN119789458A 一种低阻分离沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 .pdf
- CN119789485A 一种半导体器件及其制造方法 .pdf
- CN119789614A 一种光伏组件及其制备工艺 .pdf
- CN119791205A 一种含有植物源添加剂的荞麦秸秆青贮饲料及其制备方法 .pdf
- CN119791294A 低致敏水解乳清蛋白纳米级微囊粉的制备方法 .pdf
文档评论（0）