CN119492981A 一种应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备方法 (华东师范大学).docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.36万字
  • 约 21页
  • 2026-05-04 发布于山西
  • 举报

CN119492981A 一种应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备方法 (华东师范大学).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119492981A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202510080495.1

(22)申请日2025.01.20

(71)申请人华东师范大学

地址200241上海市闵行区东川路500号

申请人上海临港华东师大先进技术研究院有限公司

上海华辂科技有限公司

(72)发明人成岩郑勇辉辛天骄王秀芳

(74)专利代理机构上海众象合一知识产权代理

有限公司31395

专利代理师孟荣梅

(51)Int.Cl.

G01R31/28(2006.01)

G01R31

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档